热点 芯联集成:正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线 时间:2024-02-28 09:48 芯联集成近期接受投资者调研时称,碳化硅(SiC)MOSFET产品性能好,技术含量高,产品高度集中应用在汽车行业。公司已经突破应用于主驱的平面碳化硅(SiC)MOSFET的技术,并已实现公司最新一代的碳化硅(SiC)MOSFET产品性能达到世界领先水平。同时,公司正在建设的国内第一条8英寸碳化硅(SiC)器件研发产线,也将于2024年通线。 上一篇:荣耀拟推出首款折叠屏手机,对标三星 下一篇:中信证券:华为超充具备生态支撑及性能优势,落地节奏关注三大先