美中SiC之争加剧，军用已脱钩

　　
第三代半导体碳化硅（SiC）材料，在军事领域有着重要应用。实际上，多年来，美国与中国在军用SiC相关供应链方面已完全脱钩。在此期间，能够侦测隐形战机的雷达，成为了双方暗自较量的关键领域。
据供应链业内人士介绍，SiC料源主要分为导电型和半绝缘型。简单来讲，二者的差异主要体现在掺入材料成分的调配比例上。所以，多数情况下，只要掌握了其中一种SiC长晶技术，要发展另一种技术并非难事。
而美国近期针对中国SiC供应链启动的“301条款调查”，重点主要是导电型SiC。
 

　　
早在特朗普执政的第一个任期，便针对军事用途的半绝缘SiC实施了管制。当时，美国不仅禁止其SiC料源出口到中国，对于其他国家企业的采购，也要求必须披露应用领域以及终端客户名称。
业内人士表示，在脱钩的这段时间里，中美双方在军事用半绝缘SiC的发展上，暗自较劲的程度愈发激烈。
特别是采用碳化硅基氮化镓（GaN - on - SiC）元件或模块的军用雷达，因其能够有效侦测隐形战机，成为了双方重点投入的项目。由于关乎国家安全，在成本评估方面，政府会不遗余力地给予支持。
中国发展半绝缘SiC的同时，也带动了导电型SiC的发展。因此，部分业内人士表示，中国SiC产业能有如今的成就，美国“功不可没”。
近期，中国大陆两大SiC芯片代表企业山东天岳和山西烁科，相继公布了其12寸高纯半绝缘SiC芯片的研发进度。山东天岳的产品在近期的德国慕尼黑半导体展上首次亮相，山西烁科则在近期成功研制。
预计到2027年，中国将启动12寸SiC芯片的小规模量产。不过，有业内人士认为，中国企业展示12寸SiC芯片的研发进度，或许在很大程度上是为了展示科技实力，至于是否线年投入量产，仍有待观察。
值得注意的是，中国将2025年和2026年视为8寸SiC的快速增长期，然而同期率先实现8寸量产的美国SiC龙头企业Wolfspeed，却因设备折旧费用高昂、生产良率把控不佳等问题，面临经营压力。
 

　　



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