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台积电2nm制程风险试产顺利,预计2025年如期量产
时间:2025-01-02 18:27
据报道,随着台积电美国亚利桑那州晶圆厂即将量产4nm芯片,台积电在中国台湾的2nm制程量产计划也在稳步前进。据业界传闻,台积电已在竹科宝山厂进行了约5000片的2nm制程小量风险试产,且进展顺利,有望按计划在2025年实现量产。此外,高雄厂也将跟进量产2nm芯片。
台积电此前在法说会上透露,2nm制程技术研发进展顺利,设备效能和良率均符合预期甚至优于预期。预计2nm制程将在2025年如期进入量产阶段,其量产曲线nm相似。
据了解,2nm制程在相同电压下可将功耗降低24%至35%,或将性能提高15%,晶体管密度比上一代3nm工艺高1.15倍。这些指标的提升得益于台积电的新型全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管,以及N2 NanoFlex设计技术协同优化和其他增强功能。
此外,台积电还将推出N2P制程技术,作为2nm家族的延伸,为智能手机和高速运算(HPC)应用提供支持。预计N2P制程技术将在2026年下半年量产。
目前,台积电已规划在竹科宝山和高雄厂区生产2nm芯片。台积电董事长魏哲家在法说会上表示,尽管高速运算(HPC)加速向小芯片(Chiplet)设计发展,但这并不会影响2nm的采用状况。事实上,目前客户对2nm的需求比3nm还高,预计产能也将更高。
台积电正持续推进2nm制程在2025年量产的目标。据悉,台积电2nm宝山第一厂已在2024年4月设备进机,6月使用英伟达cuLitho平台结合AI加速风险试产流程。后续宝山第二厂也维持进度。高雄厂规划2nm扩充,原先预定相关设备最快2025年第三季度进机,但已提前于2024年11月陆续进机,较原计划超前约半年以上。