新型BAT激光器或将革新半导体生产

　　据Toms Hardware报道，美国实验室正在开发一种拍瓦（一种功率单位，表示10^15瓦特）级的大孔径铥（BAT）激光器。它有潜力在提高极紫外光刻（EUV）光源效率方面迈出重要步伐，预计将比现有技术提升约10倍效率。

　　BAT激光器的核心优势在于其使用掺铥的氟化钇锂作为增益介质，这一创新能够显著提升激光的功率与强度，从而为芯片生产提供更高效的光源。与传统的二氧化碳激光器相比，BAT激光器能够在更低能耗的情况下完成更精细的芯片制造，这不仅可能推动下一代超越EUV的光刻技术，还能帮助半导体行业应对日益严峻的能耗挑战。

　　“我们将在LLNL 建立第一台高功率、高重复率、约2微米的激光器，”LLNL等离子体物理学家杰克逊·威廉姆斯表示：“BAT 激光器所实现的功能还将对高能量密度物理和惯性聚变能领域产生重大影响。”

　　资料显示，LLNL是美国著名国家实验室之一，其最初成立于1952年，目前隶属于美国能源部的国家核安全局（NNSA）。数十年来，其尖端激光、光学和等离子体物理学研究在半导体行业用于制造先进处理器的基础科学中发挥了关键作用。