三星电子加速HBM4量产

　　据韩媒报道，三星电子已设定目标，在今年上半年内完成HBM4（High Bandwidth Memory 4）产品和PRA（Production Readiness Approval，量产准备审批）的开发，这一举动标志着三星电子正加速推进其HBM产品路线图，计划比原计划提前约六个月实现量产。

　　随着AI半导体市场的蓬勃发展，特别是NVIDIA等领先企业在加速AI加速器开发方面的积极举措，三星电子看到了HBM4产品的巨大市场潜力。据悉，NVIDIA原计划于明年推出的下一代AI加速器“Rubin”预计将提前至今年第三季度发布，且每个Rubin单元将配备8个HBM4，这无疑为HBM4的市场需求注入了强劲动力。

　　面对这一市场机遇，三星电子果断调整策略，将HBM4的量产时间表提前。为确保这一目标的实现，三星电子在技术研发和生产准备方面下了大力气。一方面，三星电子计划采用1c DRAM作为HBM4的核心芯片，这是提升HBM4性能和可靠性的关键；另一方面，三星电子将通过代工4nm工艺量产逻辑芯片，以满足HBM4对先进制程的需求。

　　值得一提的是，三星电子在确保1c DRAM量产良率方面也取得了显著进展。去年10月，三星电子首次确保了这款1c DRAM的良率，目前正致力于通过提高生产高质量产品的比例来对其进行升级。

　　与此同时，SK海力士也在加速HBM4的开发和量产。SK海力士CEO郭鲁正表示，将于今年下半年开始量产第六代HBM（HBM4）。在最近的CES展会上，SK集团董事长崔泰源更是透露，目前SK海力士的开发速度稍微领先于NVIDIA，且今年的HBM供应量已经在工作层面得到了确定。