青禾晶元采用Emerald-SiC复合衬底研发1200V SiC MOSFET

　　青禾晶元近日宣布，与中科院微电子所高频高压中心及南京电子器件研究所合作，基于6英寸Emerald-SiC复合衬底，成功研发出1200V SiC MOSFET，实现了高性能且低成本的产品突破。这一成果不仅提升了SiC MOSFET的性能，还显著降低了生产成本。

　　目前，高质量SiC衬底的成品率较低，通常在40%-60%之间，导致其在MOSFET器件成本中占比超过50%。青禾晶元通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，使得每个高质量SiC晶圆可重复使用超过30次，预计成本降低40%。

　　这一技术突破不仅提升了低质量单晶SiC衬底的有效利用率，还为碳化硅乃至整个半导体产业带来了新的发展方向。除了青禾晶元，达波科技也披露了碳化硅复合衬底的相关进展，其首条4/6英寸碳化硅基压电复合衬底生产线月在上海临港工厂贯通。

　　碳化硅基压电复合衬底因其高硬度、耐高温、耐腐蚀等特性，在电子、光电和机械行业有广泛应用。在电子行业中，这种材料被用于制造高功率LED和功率器件，优异的导热性能有助于降低设备温度，提高寿命和可靠性。在光电行业，碳化硅基压电复合衬底用于制造太阳能电池板和激光器，其高硬度和高热导率有效提升器件效率和性能。