三星突破NAND闪存技术，力求实现1000层堆叠

　　在近日于旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，三星电子的DS部门CTO宋在赫展示了其在半导体领域的最新技术突破，包括晶圆键合、低温蚀刻和钼应用等技术。

　　宋在赫透露，三星正致力于通过晶圆键合技术实现1000层以上的NAND堆叠，这项技术通过将多个晶圆结合，突破了单一晶圆堆叠的物理限制。这一技术的发展，意味着NAND闪存的存储能力和效率将大幅提升。值得注意的是，三星并非唯一探索这一方向的企业，铠侠和长江存储也在争相研发类似技术，预计将于2027年推出1000层NAND产品。

　　此外，三星展示的低温蚀刻技术可解决传统堆叠过程中出现的层间问题，并为更大规模的量产做好准备。这一技术通过在极低温度下进行高速蚀刻，减少了传统方法中的堆叠误差。

　　另外，三星还计划引入钼材料替代钨和氮化钛材料，以降低晶体管电阻，进一步提升存储器的性能。业内专家指出，随着这些技术的推进，半导体产业将迎来设备与材料市场的双重革命，技术变革带来的行业动荡将在未来几年加速上演。