在2024年底的IEDM主题演讲中，二维场效晶体管（2D FET）被提及为逻辑制程的未来技术。与传统硅半导体不同，2D FET使用二维材料作为通道材料，这被视为半导体产业的一次本质颠覆。
2D FET的通道由单层原分子构成，通过施加电压控制其导电性。然而，这种新技术面临着短道效应（SCE）等挑战。
随着制程微缩，通道长度变短，源极和汲极的电性开始影响通道性能，导致FET失去控制，产生漏电等问题。
为解决这些问题，业界采取了多种方法，包括轻掺杂汲极、栅氧化层厚度改进、应力通道等传统手段。然而，随着制程进一步微缩，这些问题变得更加严峻。
因此，业界开始探索新材料和新结构，如金属氮化钛、高介电质材料以及FinFET、GAA nanosheet和CFET等新型FET结构。
这些新技术虽然仍属于more Moore范畴，但其创造经济价值的方式已与传统微缩手段不同。它们利用新材料、新元件架构和新物理机制来提升FET的效能、功耗和面积表现，开启了半导体研发竞争的新篇章。
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