英飞凌推抗辐射快闪存储器，应对太空极端环境

　　英飞凌在美国空军研究实验室和技术商Micro-RDC的资金支持下，成功研发出首款适用于太空领域的512 Mbit抗辐射NOR快闪存储器。该存储器性能出色，具备优异的辐射耐受性、速度和密度。

　　这款存储器可储存FPGA配置图像和太空级微处理器的独立开机程序码，其133 MHz的四通道QSPI能满足系统快速初始化和数据提取需求，加载200 Mb FPGA位元流仅需0.42秒。

　　此外，该存储器还具备高耐久性和可靠性，提供高达1万次的烧录/删除周期，能在125度高温下保存数据10年，并支持多个FPGA配置以提供系统备援。其Dual-Image架构设计进一步增强了数据损毁时的备援保障。

　　英飞凌采用SONOS电荷闸极捕捉技术，解决了传统快闪存储器在高辐射环境下电荷泄漏的问题，使SONOS装置能承受高达300 krad(Si)的总游离剂量，符合宇宙射线和高能粒子装置的标准。

　　同时，该存储器还具备优异的单事件效应效能，能在高温高辐射环境下避免单事件翻转，提供强大的单事件闩锁保护，并将单事件功能中断率最小化至每个装置每日少于2.77×10⁻⁵个错误。

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