三星否认变更1b DRAM设计传闻

　　近日，有传闻称三星电子计划修改其10纳米级第五代DRAM（1b DRAM）设计。然而，三星官方已迅速否认了这一传闻。

　　
传闻指出，三星此举是为了提升1b DRAM的效能与良率。据悉，该DRAM广泛用于绘图卡存储器及Mobile DRAM，搭载于PC、服务器及智能手机等设备。

　　
尽管变更设计意味着高成本与制程调整，但传闻称三星已紧急订购设备，预计新版1b DRAM将在2025年内量产。

　　
业界分析认为，三星此举可能是为了应对来自SK海力士和美光的竞争压力。这两家公司已成功商用化1b DRAM，而三星仍在使用1a DRAM。

　　
此外，传闻还指出三星启动了名为「D1b-p」的开发专案，致力于改善产品功耗与散热表现。

　　
尽管三星身为全球DRAM龙头，但目前正面临来自竞争对手的挑战。同时，韩国业界传出消息，三星正在修正部分第六代10纳米级1c DRAM设计，开发目标时间可能延至2025年6月。