花旗银行：中国DDR5良率将提升至90%，HBM2取得突破

　　近日，花旗银行发布分析报告称，国产DDR5内存良率已稳定在80%左右，预计明年底将提升至90%。

　　此前，长鑫存储DDR4量产初期良品率较低，但凭借丰富经验，DDR5量产初期良率即达40%，后稳步提升至当前水平。

　　长鑫存储在合肥拥有两座DRAM工厂，Fab 1采用19nm工艺生产DDR4，月产能10万块晶圆；Fab 2则专注17nm工艺的DDR5生产，月产能5万块晶圆，预计明年翻倍。

　　此外，长鑫存储正积极推进高带宽内存HBM的研发，第一代HBM产能提升，第二代HBM2已取得重大突破，正在送样客户，预计明年年中可小规模量产。

　　为此，长鑫存储自第三季度起开始采购HBM2生产设备，涉及TSV、KGSD等先进封装技术。

　　尽管已有厂商量产更高级的HBM3、HBM3E，并即将推出HBM4，但长鑫存储成功研发HBM2仍具里程碑意义，对国产化AI硬件发展至关重要，如华为昇腾910系列加速器即依赖HBM2。