美光宣布开发尖端HBM4E 工艺

　　美光公司近日宣布了下一代HBM4和HBM4E内存技术的最新进展，预计将于2026年实现量产。这一技术将极大提升人工智能计算性能，为行业带来革命性的突破。HBM4预计将比现有技术提高50%以上的性能，并在能效方面保持领先地位，助力AI应用的快速发展。

　　美光表示：“凭借在成熟的 1 β 工艺技术方面的坚实基础和持续投资，我们预计美光的 HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，同时性能比 HBM3E 提升50%以上。 我们预计 HBM4 将于2026年大批量上市。”

　　HBM4技术的一个亮点是，它将内存和逻辑半导体集成到一个封装中，消除了传统封装的需求，显著提升了性能和效率。这一创新与台积电的合作无疑为美光注入了更多竞争力，推动行业向更高效、更先进的技术迈进。

　　此外，HBM4预计将与AMD的Instinct MI400系列和英伟达的RubinAI架构兼容，满足日益增长的内存需求。美光对2025年生产线的预订情况也透露了强劲的市场需求，未来发展潜力巨大。

　　这项技术的推出，标志着美光在内存领域的持续创新，未来或将成为AI应用不可或缺的基础设施，助力人工智能技术的飞速发展。