三星3D NAND生产革新：光阻剂用量减半

　　近日，三星在3D NAND闪存生产过程中实现了一项重大突破，成功将曝光制程所使用的光阻剂（PR）用量大幅减少，从而有效降低了生产成本。

　　据知情人士透露，三星已经制定了全新的NAND生产路线图，该路线图的核心在于将PR的使用量减少至以前的一半。在过去，每个涂层所使用的PR量高达78cc，而现在，这一数字已经降低到了44.5cc。这一改变不仅显著减少了PR的用量，还使得三星在成本控制上取得了重要进展。

　　为了实现PR用量的减少，三星在工艺控制上进行了精细的调整。他们通过控制涂布机的旋转次数，并调整PR涂布后的蚀刻条件，成功地解决了PR用量减少可能带来的工艺难题。

　　在3D NAND生产过程中，为了增加层数，三星采用了厚氪氟化物（KrF）PR。然而，随着NAND堆叠层数的增加，成本也随之上升。为了应对这一挑战，三星早在多年前就与韩国化学材料厂商Dongjin Semichem展开了合作，共同研发了适用于高堆叠层数的厚PR。

　　然而，随着三星PR用量的减少，Dongjin Semichem的供货量也将受到影响。据悉，Dongjin Semichem每年从PR销售中赚取2500亿韩元的营收，其中60%来自三星。因此，面对三星PR用量的减少，Dongjin Semichem董事长Lee Boo-Sup已经要求其原材料供应商也采取成本节约措施，以应对即将到来的市场变化。