三星电子加大投资推进“1c” DRAM量产

　　三星电子正在加大对“1c” DRAM的投资力度，着手建设大规模生产线年开始量产。这款第六代10纳米DRAM，作为三星下一代HBM4高带宽存储器的核心，将对其未来在高性能内存市场的竞争力产生重大影响。

　　据悉，三星已开始向合作伙伴订购生产设备，预计在2025年2月左右开始在平泽第四园区（P4）安装新设备。这个投资计划标志着三星电子在DRAM领域的战略转型，特别是在HBM4市场上的竞争。尽管目前1c DRAM的生产仍处于试生产阶段，但设备采购订单已经确认，每月产能为15000片，未来或有扩张。

　　1c DRAM将取代现有的1b DRAM，成为HBM4的核心组件。三星计划在该领域超越竞争对手SK海力士和美光，后者将继续使用1b DRAM。考虑到HBM4对DRAM性能的依赖，1c DRAM的成功量产对三星至关重要。

　　然而，尽管三星已取得初步进展，并计划在2025年下半年实现HBM4的量产，能否解决良率问题并保持稳定生产仍是未来挑战。业界普遍关注，三星能否在全球半导体领域重塑其领导地位，依赖于其如何攻克这些技术瓶颈。