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SK海力士16层HBM3E量产在即,HBM4市场竞争加剧
时间:2024-12-25 15:56
SK海力士已按计划准备量产16层HBM3E,该技术也将应用于未来的HBM4。据韩媒报道,SK海力士已引进新制程设备,调整生产线,主要制程测试结果良好。预计2025年上半年量产,效能较12层产品提升显著。
SK海力士社长在「SK AI Summit 2024」宣布,正在研发48GB 16层HBM3E,采用Advanced MR-MUF技术。
同时,SK海力士也在积极研发HBM4,计划于2024年第4季度完成设计定案,维持使用Advanced MR-MUF技术,确保生产稳定性和良率。
三星电子虽然尚未通过NVIDIA HBM3E认证,但计划于2025年下半年量产HBM4,采用堆叠10纳米级1c DRAM,期望快速提高效能。为此,三星已开始投资,计划在韩国平泽P4工厂设置量产产线。
随着智能手机、PC等产品的通用DRAM成长趋缓,HBM市场持续增长,成为存储器产业的新焦点。
存储器产业正以人工智能市场为中心重组,SK海力士和三星电子谁能抢占新一代技术,将直接影响未来竞争力。