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台积电2nm试产超预期,价格飙升

时间:2024-12-10 18:55

  近日,台积电在新竹宝山工厂正式开启了2nm芯片的试产工作。据悉,该工厂的良率已经达到了60%,这一数据不仅超越了台积电内部的预期,也预示着2nm芯片的大规模量产指日可待。此外,台积电还计划在明年上半年于高雄工厂开展2nm试产,进一步扩大了其产能布局。

  对于代工厂而言,批量生产芯片需要达到一定的良率标准,通常这一标准在70%甚至更高。然而,按照台积电的进度,在2nm大规模量产之前,该公司完全有时间和能力将良率提升至量产标准。这意味着,台积电在2nm芯片的生产上已经取得了实质性的进展。

  然而,伴随着2nm时代的到来,其价格也随之飙升。据报道,台积电2nm晶圆的价格已经超过了3万美元,相比之下,目前3nm晶圆的价格仅在1.85万至2万美元之间。

  在2nm制程节点上,台积电将首度使用Gate-all-around FETs晶体管技术,这一技术的引入将进一步提升芯片的性能和功耗表现。此外,N2工艺还能搭配NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了更加灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比,N2工艺在相同功率下性能将提升10%到15%,或者在相同频率下功耗将下降25%到30%。同时,晶体管密度也将提升15%。