联发科下一代旗舰芯片继续采用台积电3nm工艺

　　据韩媒SamMobile引援数码行业博主爆料报道，联发科的下一代旗舰芯片天玑9500将采用台积电的N3P工艺，而非此前传闻的2nm工艺。

　　N3P工艺是台积电3nm制程工艺的一个节点，与N3和N3E工艺同属3nm系列。尽管N3P在性能和功率方面有所提升，但在能效上仍不如2nm工艺。

　　台积电的2nm工艺在相同运行电压下，功耗可降低24%至35%，或提高15%的性能，同时晶体管密度是3nm制程节点的1.15倍。这一提升主要得益于GAA晶体管架构和N2 NanoFlex DTCO技术，使其在性能和能效之间能够更好地平衡。

　　联发科选择不采用2nm工艺的原因可能是多方面的。首先，苹果已经预订了台积电2nm工艺的全部产能，导致其他公司难以获得足够的产能支持。此外，高昂的成本也是一个重要因素。据Creative Strategies的分析师透露，苹果处理器的晶圆价格从A7的28nm工艺到A17和A18的3nm工艺，价格涨幅达三倍，每平方毫米的成本也显著上升。

　　值得注意的是，英伟达和高通也在考虑将部分2nm工艺订单从台积电转至三星，以应对产能和成本的挑战。高通正在测试三星的2nm工艺，但尚未确定是否会将订单交给三星。

　　联发科的天玑9500芯片预计将包括两个Arm Cortex-X930超大核和六个Arm Cortex-A730大核，频率将超过4GHz，并支持可扩展矩阵扩展（SME），显示出其在性能上的强大潜力。