镓仁半导体技术突破：成功生长出2英寸N型氧化镓单晶

　　11月29日，镓仁半导体宣布，通过直拉法生长技术，成功生长出2英寸N型氧化镓单晶，并制备出2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底，其平均电阻率小于30mΩ·cm，电阻率均匀性小于5%。

　　镓仁半导体专注于直拉法氧化镓晶体生长技术的研发，今年已实现2英寸UID和半绝缘直拉晶体的技术突破，并解决了（010）晶面衬底加工技术难题，成为唯一的2英寸（010）晶面衬底产品供应商。在中试阶段，镓仁半导体通过工艺革新，提高了放肩和等径生长的稳定性，成功制备出导电型氧化镓单晶，克服了Sn掺杂高挥发的缺陷。

　　（010）晶面因其物理特性和外延表现而备受青睐，具有最高的热导率，有利于提升功率器件性能，且外延容许生长速率快，符合产业化需求。基于（010）晶面制备的器件性能也更为优异。

　　在国内，富加镓业于9月12日宣布，其6英寸氧化镓单晶及外延片生长线已在杭州富阳开工建设。国外方面，日本东北大学成立的FOX公司，目标是低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片，采用无贵金属单晶生长技术，旨在以低于碳化硅的成本生产出低缺陷程度与硅相当的β-氧化镓衬底。