三星将使用长江存储专利技术！

　　
据韩国媒体ZDNet Korea报道称，三星近日与长江存储签署了3D NAND“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，从第10代V-NAND（V10）开始，将使用长江存储的专利技术进行制造。
三星第10代V-NAND（V10）将引入多项新技术，其中最重要的就是晶圆对晶圆（wafer-to-wafer）形式的混合键合。简单来说，混合键合的优势包含提高效能、提升散热特性等，有利于提高生产力。
图源：三星
报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是早在四年前，长江存储已建立完善的混合键合专利体系，与Xperi、台积电共同占据该领域的主导地位，三星难以绕开相关专利。
三星在开发第10代V-NAND（V10）时面临堆叠层数超过400层后的可靠性问题。而长江存储的混合键合技术（Xtacking）通过晶圆直接贴合（W2W），缩短电气路径并提升散热能力，成为解决这一难题的关键。
在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，同时，这种方法最多可容纳300多层的NAND。
因此，对于3D NAND厂商来说，要想发展400层以上的NAND堆叠，混合键合技术已经成为了一项核心技术。长江存储的混合键合技术，将推动高堆叠层数的3D NAND制造转向CBA（CMOS键合阵列）架构。
目前，长江存储自研的混合键合技术已进展到4.x版本，且成功量产了160层、192层、232层产品。最新研究报告显示，长江存储今年早些时候还成功实现了2yy（预估270层）3D TLC（三级单元）NAND 商业化。
TechInsights表示：“长江存储的2yy 3D NAND是我们在市场上发现的密度最高的NAND”，“最重要的是，它是业内第一个实现超过20Gb/mm²位密度的3D NAND”。
随着NAND技术向更高层数（如V10、V11、V12）演进，三星需持续依赖长江存储的专利支持，韩媒预期，SK海力士也可能会跟进合作。2024年2月，SK海力士副社长金春焕在“SEMICON Korea 2024”主题演讲中透露，SK海力士正在开发下一代平台，将通过混合键合技术提高400层等级NAND产品的经济性、量产性。

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