近日，英特尔正式发布了其尖端的Intel 18A制程工艺，并宣布该技术已准备就绪。据预测，该工艺将于2025年年中实现量产，首发产品为酷睿Ultra 300系列处理器。
相较于之前的工艺节点，Intel 18A在能效和芯片密度上均有显著提升，分别提高了15%和30%。此外，其SRAM密度也实现了重大改进，为客户提供了更灵活的供应替代方案。
Intel 18A采用了RibbonFET环栅晶体管和PowerVia背面供电技术等创新技术。RibbonFET技术可实现电流的精确控制，进一步缩小芯片组件体积，同时减少漏电。
而PowerVia技术则将金属和凸块重新定位到芯片背面，提高了密度和单元利用率，降低了电阻供电下降。
值得一提的是，Intel 18A的量产时间将比台积电的N2工艺领先近一年。此外，英特尔还在积极利用ASML最新的High NA EUV光刻机来扩大其技术优势，为未来的芯片制造领域奠定坚实基础。
随着Intel 18A制程工艺的发布，英特尔再次展示了其在半导体领域的创新能力和领先地位。
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