三星电子为提高新一代DRAM良率，据传正在调整1c DRAM芯片尺寸，并重新设计以提高生产稳定性。1c DRAM是三星计划于2025年下半量产的新一代DRAM，预计搭载于HBM4。
据业界消息，三星在HBM市场落后于竞争对手，希望通过引入最先进的1c DRAM在HBM4市场取得突破。然而，1c DRAM从研发初期就面临良率问题，可能与芯片尺寸有关。最初，三星为了市场竞争而缩小了芯片尺寸，但导致生产稳定性下降。
因此，三星决定在2024年末修改部分1c DRAM设计，放宽周边电路标准，以期在2025年中旬前迅速提高良率。此举是为了确保在竞争激烈的市场中占据有利地位，避免成为最晚完成开发的存储器业者。
此外，三星还在投入1b DRAM部分产品的重新设计，以提高服务器用32Gb 1b DRAM的良率至70~80%左右。这些举措表明，三星正在致力于稳定高附加价值存储器的生产，并努力在全球存储器市场中保持竞争力。
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