Rapidus即将接收EUV光刻机，2纳米制程试产线在即

　　日本新创半导体制造商Rapidus的会长东哲郎在SEMICON Japan会议开幕式上表示，公司对2纳米节点制程的试产线充满信心。东哲郎透露，Rapidus的EUV光刻设备将于本月交付工厂，随后将有200余台设备陆续交货，预计所有设备将在2025年3月底前到位，届时将启动2纳米芯片的试产线。客户试产期间可以测试并确认芯片的实用性。

　　根据Rapidus的规划，试产后的目标是在2027年4月实现2纳米制程的量产。Rapidus已与40多家潜在客户进行洽谈。在技术合作方面，Rapidus的合作伙伴IBM在IEEE IEDM 2024国际电子元件会议上展示了双方合作的多阈值电压GAA晶体管成果，这些成果有望应用于Rapidus的2纳米制程。

　　IBM指出，从使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管升级至2纳米制程后，晶体管结构将转变为GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，这为制程技术带来了新的挑战。实现多阈值电压（Multi Vt）技术，让芯片能够在较低电压下执行复杂计算，是其中的关键挑战。

　　Rapidus的技术进展和即将到来的EUV光刻机交付，标志着公司在先进制程技术领域迈出了重要一步。随着2纳米制程试产线的启动和未来量产的计划，Rapidus有望在全球半导体制造领域占据一席之地。