近日,Coherent(高意)宣布,其与美国商务部签署了备忘录,旨在根据《芯片与科学法案》获得3300万美元的投资,用于现代化改造其位于德克萨斯州谢尔曼工厂的70万平方英尺先进制造洁净室,并扩建全球首个6英寸(150mm)磷化铟(InP)生产线。
据悉,早在今年3月,Coherent便成功建立了全球首个6英寸InP晶圆生产能力,分别在其德克萨斯州谢尔曼和瑞典J?rf?lla的晶圆厂增设了6英寸InP产能。此次扩建项目将进一步扩大InP器件的规模化生产,预计在未来几年内,InP的大部分生产将从3英寸向6英寸过渡,以充分利用大尺寸晶圆带来的更高产量和更优性能,从而巩固其在通信和传感领域的可持续竞争力。
值得一提的是,6英寸InP晶圆的应用前景广阔,将赋能光通讯、数据通信收发器、AI智能互联、消费电子及可穿戴设备用先进传感、医疗与汽车,甚至未来的6G无线网络、卫星通信网络等应用场景。Coherent预计,这一扩建项目将实现60%以上的成本降幅,为市场带来更具竞争力的InP产品。
除了InP领域,Coherent在碳化硅(SiC)和砷化镓(GaAs)领域也取得了显著进展。在SiC领域,Coherent基于CHIPS法案获得了1500万美元的资金,用于加速下一代宽带隙和超宽带隙半导体(分别为碳化硅和单晶金刚石)的商业化。今年9月,Coherent还推出了8英寸碳化硅外延片,其350微米和500微米厚度的衬底和外延晶圆已正式出货。
在GaAs领域,为了优化投资组合和简化运营,Coherent将其位于英国北部达勒姆郡牛顿艾克利夫的晶圆厂出售给了英国政府。该晶圆厂主要面向通信和航空航天与国防领域制造III-V族化合物半导体射频微电子和光电子器件,生产用于战斗机等军事技术的砷化镓半导体。
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