美光16层HBM3E量产在即，SK海力士面临挑战

　　据悉，美光正准备量产16层第五代高带宽存储器（HBM3E），这将对SK海力士在NVIDIA供应链中的地位构成威胁。

　　SK海力士于2024年9月领先业界量产12层HBM3E，但美光正进行16层HBM3E的最后阶段量产设备测试，预计最快在2025年内开始量产。

　　HBM的层数越高，效能越好，但制造难度也越大。美光若能成功量产16层HBM3E，并通过NVIDIA等客户的品质认证，将对SK海力士造成巨大竞争压力。SK海力士虽已宣布研发16层HBM3E，但计划2025年上半年才供应样品。

　　此外，美光在HBM产品的低功耗技术方面领先韩国，其16层HBM3E采用新技术降低产品厚度。

　　为改善产能不足，美光已在新加坡动工兴建HBM新厂，预计2027年完工，并计划在日本和美国新增投资。未来，美光有望与SK海力士争夺HBM订单量，特别是在NVIDIA等客户的供应链中。