三星加速DRAM试产线建设，力图拉大存储器市场领先差距

　　据韩媒报道，三星电子为加速提升新一代产品生产良率，已开始在韩国平泽二厂（P2）建设10纳米级第七代DRAM（1d DRAM）试产线。

　　该试产线年第一季度完工，用于测试半导体新品是否具备量产能力。

　　三星计划在完成1d DRAM试产线后，将紧接着量产第六代10纳米级DRAM（1c DRAM），并在2025年初以平泽四厂（P4）为中心，引进半导体设备，为1c DRAM的量产做准备。

　　业界认为，三星此举意在2025年积极扩大存储器领先差距，采取更积极的投资策略。

　　作为全球DRAM龙头，三星近期在备受关注的高带宽存储器（HBM）领域被竞争对手SK海力士追上，面临主力事业竞争力下滑的危机。

　　为重新夺回市场主导权，三星高层决定加速未来产品开发，新任半导体暨装置解决方案（DS）负责人全永铉被视为关键人物。他积极重整三星存储器事业，重建HBM开发小组，追赶SK海力士。

　　此外，三星也同时加速对NAND Flash进行投资，平泽一厂（P1）已设置业界首条堆叠400层3D NAND（V10）试产线的NAND厂也引进堆叠286层（V9）设备。