中国HBM发展面临挑战，美制裁或成阻碍

　　在国内，武汉新芯等本土企业在HBM（高带宽存储器）领域进行初期产能建设，但面临美国制裁的潜在威胁。美国欲全面禁止中国取得HBM，而本土企业仍处于从0到1的萌芽阶段，能填补这块空白的本土企业寥寥可数。

　　要跨越HBM门槛，本土企业需先做出一流DRAM，再朝3D堆叠发展，这需克服TSV技术、堆叠键合制程等技术难题。目前，长鑫存储等国内存储器厂商正攻克HBM2，其中长鑫存储与通富微已合作开发HBM2样品。

　　武汉新芯在TSV技术、混合键合技术基础上，已启动HBM产线寸晶圆，并有意IPO融资。在封测领域，通富微、长电科技等一线封装厂商拥有支持HBM生产的技术。

　　然而，国内存储器厂商未来想进阶跨入HBM3阶段，面临美国技术限制，预计需更长时间才能取得突破。整个HBM产业链仍被美光、三星电子和SK海力士主导，中国本土AI算力面临先进制程产能受限、CoWoS封装阙如以及HBM技术难跨越等难题。

　　随着国内AI处理器需求增长，对自主HBM供应链需求愈加迫切，考验着国内自研硬实力。