据韩媒报道，三星电子计划在2025年完成最新一代3D NAND V10的量产准备，并首次引入东京威力科创（TEL）的极低温蚀刻设备。
此前，三星在V8和V9的先进极低温蚀刻制程中仅使用美国科林研发的设备。
极低温蚀刻是在零下30度至零下60~70度的环境下进行，相比传统蚀刻更加精准，速度也可提升至原本的3倍。随着TEL进入三星供应链，科林研发的独占地位将受影响。
自2024年起，三星已在平泽第三工厂的NAND产线导入TEL的极低温蚀刻设备进行V10与V11的量产测试。此举旨在降低对科林研发的依赖，降低成本并稳定先进制程设备供应链。
对于存储器业者而言，过度依赖特定设备供应商存在负担与风险。TEL若能提供所需技术，将有助于三星降低成本并稳定设备供应链。
三星在NAND市场竞争激烈，此次策略调整显示出其不想让出主导权的决心。
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