成大晶体中心启动，突破高温SiC晶体技术

　　成功大学晶体研究中心26日正式启动，成为中国台湾唯一掌握超高温大尺寸碳化硅（SiC）晶体生长技术的学术机构。该中心获得大立光、台达电等企业的经费与设备支持。

　　成大半导体学院院长苏炎坤表示，中心将携手全球产业伙伴，加速SiC与氧化镓（Ga₂O₃）材料的技术转移，推动其在半导体、光学等领域的应用，提升中国台湾在全球市场的竞争力。

　　目前，中心已突破高温SiC晶体生长技术瓶颈，为中国台湾半导体与功率元件产业提供关键材料。同时，中心在氧化镓领域也取得重大进展，未来将与产业界合作，加速商业化应用。

　　针对AI应用，中心将研发新型晶体，改善高速AI运算的热效应，并探索量子计算所需的稀土元素掺杂晶体。此外，中心还将利用AI与机器学习建立新型晶体模型，提升工业晶体生长效率。

　　值得注意的是，成大团队将专门纯化稀土元素，以支持晶体生长研究。同时，中心获得大立光电集团数千万元投入，建置最先进的晶体生长设备，并预计在未来3年内带来突破性技术成果。