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成大晶体中心启动,突破高温SiC晶体技术

时间:2025-02-27 15:38:15

  成功大学晶体研究中心26日正式启动,成为中国台湾唯一掌握超高温大尺寸碳化硅(SiC)晶体生长技术的学术机构。该中心获得大立光、台达电等企业的经费与设备支持。

  成大半导体学院院长苏炎坤表示,中心将携手全球产业伙伴,加速SiC与氧化镓(Ga₂O₃)材料的技术转移,推动其在半导体、光学等领域的应用,提升中国台湾在全球市场的竞争力。

  目前,中心已突破高温SiC晶体生长技术瓶颈,为中国台湾半导体与功率元件产业提供关键材料。同时,中心在氧化镓领域也取得重大进展,未来将与产业界合作,加速商业化应用。

  针对AI应用,中心将研发新型晶体,改善高速AI运算的热效应,并探索量子计算所需的稀土元素掺杂晶体。此外,中心还将利用AI与机器学习建立新型晶体模型,提升工业晶体生长效率。

  值得注意的是,成大团队将专门纯化稀土元素,以支持晶体生长研究。同时,中心获得大立光电集团数千万元投入,建置最先进的晶体生长设备,并预计在未来3年内带来突破性技术成果。

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