三星租借长江存储专利，规划用于第10代3D NAND产品

　　据报道，三星电子已与中国NAND Flash制造商长江存储签署协议，租借其3D NAND混合键合专利。该专利将用于三星的第10代3D NAND（V10）产品，预计2025年下半年量产，堆叠层数或达420~430层。

　　长江存储是首家将混合键合技术应用于3D NAND的公司，拥有强大的专利组合。三星V10 NAND将引入晶圆对晶圆形式的混合键合技术，以提高效能和生产力。

　　此前，三星主要采用COP制程，但随着NAND堆叠层数增加，底部外围电路压力增大，因此决定引入混合键合技术。

　　此举被视为三星通过友好协议降低未来风险，同时加快技术开发速度的策略。业界人士指出，三星在新一代NAND开发中不太可能避开长江存储的专利。

　　此外，韩媒预期SK海力士也可能会与长江存储签署专利协议，以提高400层等级NAND产品的经济性和量产性。