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长鑫存储加速DRAM制程开发
时间:2025-02-14 09:06
长鑫存储(CXMT)已量产基于16nm制程的DDR5内存芯片,良率达80%左右,产品定名为“G4”。与上一代18nm的G3相比,G4的DRAM单元尺寸缩小了20%。
此外,长鑫存储正在研发15nm的下一代DRAM制程技术,即G5,预计2025年底开发完成,最快2026年下半年商业化。
长鑫存储此前主要生产DDR4、LPDDR4X等较成熟产品,2024年11月首次发布了LPDDR5产品,2025年初成功实现DDR5商业化。长鑫存储一直在同时开发17nm和16nm制程技术,最终选择更先进的16nm制程技术用于首款商用DDR5产品。
虽然长鑫存储原计划使用EUV设备开发15nm制程技术,但受美国出口限制影响,只能利用现有设备开发和量产下一代制程。
尽管如此,长鑫存储仍积极推行制程优化和先进制程设备的国产化,以期望突破技术瓶颈。目前,三星电子和SK海力士已开发出15nm和12nm DRAM制程技术,但中国技术进步迅速,差距正在逐渐缩小。