全球SiC领域竞争激烈，中国业者在专利申请上尤为积极。据法国研调机构Knowmade报告，2021~2023年间，中国SiC业者提交的SiC创新专利数量激增60%，新创企业申请SiC基板及装置IP的数量也大幅增加。
2023年，中国业者占全球新申请SiC专利数的70%以上，但主要针对中国市场，海外申请不足5%。目前，全球SiC专利领导者仍为日系业者三菱电机和富士电机。
美中贸易战促使SiC专利数量快速增长，中国政策鼓励建立当地SiC供应链与生态系，以解决芯片短缺问题。
但快速发展也导致产能过剩，引发激烈价格竞争，厂家更加重视专利申请与保护以提升竞争力。
同时，英飞凌、Wolfspeed等芯片商采用垂直整合策略强化供应链体系，多数采用整合元件厂商业模式，将资源注入SiC材料、制造到封装环节。
此外，拥有SiC专利的业者也将沟槽型MOSFET纳入技术路径图，成为竞争日益激烈的IP领域。
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