三星电子：第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨

时间：2023-07-27 10:27:32

　　据科创板日报，三星电子表示，内存业务的业绩较上一季度有所改善，因为预计AI应用的强劲需求导致DRAM出货量高于指导值，因此该业务重点关注高带宽内存（HBM）和 DDR5产品。三星电子还称，得益于3纳米工艺的稳定，代工业务正在顺利量产采用GAA技术的第三款产品，第二代3纳米GAA技术和2纳米GAA技术的开发均已步入正轨并进展顺利。

上一篇：7月27日盘前重要市场新闻返回首页

下一篇：银行股拉升，银行ETF普涨逾1%

热点推荐

1 韩国提高股市留存门槛，部分加密资产上

韩国提高股市留存门槛的修订后上市规定将于7月1日实施，部分通过投资加密资产获利的kosda...

2 欧洲银行管理局发布MICA法规不合规处罚框

消息，欧洲银行管理局发布针对违反MICA法规的加密资产发行人的标准化处罚框架。重大代币不...

3 CZ凭1090亿美元净资产超越比尔·盖茨

币安创始人CZ的净资产达到1089亿美元，超越比尔盖茨的1034亿美元，成为加密领域首富，全球排...

4 伊拉克称愿意在美伊之间进行调停

消息，伊拉克外长表示，愿意在美伊之间进行调停，以结束这场战争。伊拉克外长在巴格达与...

5 伊朗敦促美国为以色列“无条件”撤出黎