4月8日，士兰微发布公告，详细披露了其碳化硅（SiC）项目的最新动态。据公告显示，士兰微的“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线片的生产能力。公司自主研发的第Ⅱ代SiC-MOSFET芯片已成功应用于电动汽车主电机驱动模块，累计向4家国内车企交付5万只。随着产能逐步释放，相关产品已进入大批量交付阶段。此外，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发，其性能指标接近沟槽栅SiC器件水平。目前，第Ⅳ代芯片已送客户评测，预计2025年实现规模化量产。
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