格芯携手MIT，达成半导体研发合作协议

　　近日，格芯（GlobalFoundries）与麻省理工学院（MIT）成功达成一项全新的主研究协议。这一合作标志着双方将携手共进，全力推动关键半导体技术在性能与效率方面实现突破性进展，为行业发展注入新的活力。

　　在此次新一轮的合作中，格芯与 MIT 将目光聚焦于 AI 及其他前沿应用领域。首批合作项目计划依托格芯先进的 22nm FD - SOI 工艺 22FDX 展开，该工艺以能够为边缘智能设备带来超低功耗的显著优势而闻名。

　　同时，双方还将着力探索差异化硅光子技术，此技术通过多类型芯片集成，有望大幅提升数据中心的能源效率，为数据中心的高效运行提供创新解决方案。