移动HBM技术，三星与SK海力士策略各异

　　智能终端时代来临，存储器业界开始关注移动HBM技术。三星电子与SK海力士在此领域策略上出现分歧。据传，三星侧重于效能与稳定，而SK海力士更专注于成本效益。

　　三星正开发针对AI智能手机、PC等的次时代DRAM，旨在最大化运算效能。其采用VCS技术，通过堆叠LPDDR DRAM，增加I/O端子，打造低延迟宽IO的DRAM产品。然而，该技术生产时间与成本较高。

　　SK海力士则选择VFO技术，以铜线取代铜柱，避免繁琐的钻孔与电镀，更具成本效益。但较细铜线在填充环氧树脂过程中可能发生位移或脱落。

　　业界人士表示，三星优先考虑产品完成度，SK海力士考虑成本效率。由于客户需求不同，尚难断言谁的技术更适合市场。

　　两大公司计划在2025年完成技术开发，2026年量产移动HBM。随着市场需求变化，其技术战略可能对移动HBM市场产生深远影响，可能改变市场版图。

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