光鼎电子推出第7代IGBT新品，提升电源系统效能与稳定性

　　光鼎电子近日宣布将于2025年第1季推出6款采用第7代微沟槽技术的IGBT新产品，针对中高功率应用如伺服马达驱动、UPS系统、太阳能逆变器等。

　　新产品包括4款TO247-3Plus封装的高效离散式产品及2款与英飞凌EconoDUALTM3封装兼容的高功率模块。

　　光鼎电子的第7代IGBT产品相比国际大厂的第6代产品，总体效能提升20%~30%，同时实现了高芯片生产良率，品质成熟可靠。

　　新产品散热金属面积增加约18%，有效降低芯片热阻及工作温度，提高电源系统稳定性、寿命，降低冷却成本。

　　此外，光鼎电子还推出1200V/60A规格的标准TO247-3封装版本产品，为客户提供更多选择。针对高功率应用，推出两款高效能IGBT模块产品，采用标准半桥结构，内建过温度保护功能，提高功率密度。

　　光鼎电子产品经过严格品质管控和可靠度测试，市场接受度高，已获大中华区多家策略客户认可，未来还将拓展至电动车直流快充充电桩等领域。

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