MACOM宣布25亿扩产计划，加速GaN-on-SiC产能提升

　　据Semiconductor Today报道，近日，MACOM宣布了一项长达五年的资本投资计划，旨在扩大其GaN（氮化镓）产能。根据计划，MACOM将投资3.45亿美元（约合人民币25.2亿元），对其位于美国马萨诸塞州洛厄尔和北卡罗来纳州达勒姆的晶圆制造设施进行现代化改造。

　　具体来看，马萨诸塞州晶圆厂将进行基础设施升级及洁净室扩建，对现有4英寸生产线进行现代化改造，并安装6英寸GaN-on-SiC产线，用于先进节点应用。而北卡罗来纳州晶圆厂除了基础设施升级和洁净室扩建外，还将安装6英寸产线以支持GaN-on-SiC射频工艺，并组建先进的金属有机化学气相沉积外延生长能力。

　　值得注意的是，MACOM在2023年8月收购了Wolfspeed的GaN-on-SiC射频业务，预计将在交易完成后两年接管Wolfspeed位于北卡罗来纳州的4英寸GaN晶圆制造工厂。此次收购还包括Wolfspeed在多个州的射频设计团队和相关产品开发资产，以及后端工厂和知识产权组合。