北京晶格领域建成液相法碳化硅中试线

　　12月12日，北京晶格领域半导体有限公司在顺义区成功建设并投入使用了一条液相法碳化硅（SiC）衬底的中试生产线。该产线不仅覆盖了碳化硅长晶、加工和检测等完整的制备工艺，还初步建成了6至8英寸的小规模生产线，为未来批量供应奠定了基础。公司计划在明年初将产线万片。

　　液相法技术是此次生产线的一大亮点。相比传统的物理气相传输法，液相法在衬底生长方面展现出显著优势：晶体质量更高，缺陷更少，成品率也更高，且能够快速生长，达到每小时500微米的速度。尤其是在“零微管”技术上的突破，使得衬底的质量更为可靠，避免了微管缺陷带来的浪费。

　　这一技术的优势也引起了多个行业领先厂商的关注，包括设备制造商晶升股份和衬底厂商天岳先进等。晶升股份已在今年成功研发出液相法碳化硅晶体生长设备，而天岳先进则通过液相法技术解决了高压电力电子器件领域的一些技术难题，推出了全球首个8英寸液相法碳化硅晶体。