2月下旬，美光科技宣布成为业内率先向合作伙伴提供基于EUV光刻技术的1γ制程第六代（10nm级）DDR5内存样品的企业。不过，当时美光并未透露该制程使用EUV光刻的层数。
据《朝鲜日报》报道，美光此次送样的1γ DDR5内存芯片仅采用了一层EUV光刻。美光这样做的目的是通过减少EUV的使用，加快先进制程DRAM的量产速度，同时降低生产成本。
美光选择减少对EUV的依赖，关键层更多地基于成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）制程。虽然ASML的下代深紫外光刻（DUV）系统（193nm波长氩氟激光）可实现38nm特征尺寸图案化，精确度比不上13.5nm波长的EUV，但胜在成本更低。
美光认为，EUV技术目前还未完全成熟，仅在必要时使用。从短期看，减少EUV使用能提升生产速度，但从长期来看，过多使用可能会影响芯片的良率和性能。
与美光不同，韩国的三星和SK海力士在DRAM生产上更依赖EUV制程。三星自2020年起就用EUV制程生产DRAM，其第六代1C 10nm级DRAM使用了超过五个EUV光刻层；SK海力士在2021年导入EUV制程，下一代1C 10nm级DRAM也采用类似策略。
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