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三星与长江存储合作推动闪存技术革新,突破400层堆叠

时间:2025-03-01 20:25

  三星宣布基于中国长江存储的专利技术,推出了全新的第十代V-NAND闪存,堆叠层数超过400层,重回世界领先地位。此次创新标志着三星在存储技术领域的再次飞跃。

  三星此次采用了长江存储的Xtacking晶栈架构,通过双晶圆技术将控制电路与存储阵列分别制造,并通过键合技术组合在一起。这一设计不仅降低了生产难度和成本,更为未来技术升级铺平道路。相比之下,传统的单晶圆设计在层数和密度急剧增加的过程中面临着技术瓶颈。

  尽管三星的新闪存在存储密度方面略逊色于其他竞争对手,如铠侠,但它的最大亮点在于层数。该闪存的堆叠层数已超越了之前创下332层记录的闪存产品。

  此外,第十代V-NAND的接口传输速度也令人瞩目,达到了5600MT/s(700MB/s),充分支持最新的PCIe 4.0、5.0及6.0接口标准,为高速存储需求提供强有力支持。