三星宣布基于中国长江存储的专利技术，推出了全新的第十代V-NAND闪存，堆叠层数超过400层，重回世界领先地位。此次创新标志着三星在存储技术领域的再次飞跃。
三星此次采用了长江存储的Xtacking晶栈架构，通过双晶圆技术将控制电路与存储阵列分别制造，并通过键合技术组合在一起。这一设计不仅降低了生产难度和成本，更为未来技术升级铺平道路。相比之下，传统的单晶圆设计在层数和密度急剧增加的过程中面临着技术瓶颈。
尽管三星的新闪存在存储密度方面略逊色于其他竞争对手，如铠侠，但它的最大亮点在于层数。该闪存的堆叠层数已超越了之前创下332层记录的闪存产品。
此外，第十代V-NAND的接口传输速度也令人瞩目，达到了5600MT/s（700MB/s），充分支持最新的PCIe 4.0、5.0及6.0接口标准，为高速存储需求提供强有力支持。
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