因涉嫌泄露18纳米制程技术，三星前部长被判处有期徒刑7年

　　三星电子一位离职部长因涉嫌向长鑫存储泄露半导体核心技术，近日在韩国法院一审被判处有期徒刑7年，并处罚金2亿韩元（约13.7万美元）。

　　据称，该部长泄露了三星18纳米DRAM制程信息，对三星及韩国产业竞争力造成重大负面影响。

　　该部长于2016年离职后，加入长鑫存储并泄露了包括半导体沉积等在内的8项核心技术。此外，他还涉嫌收受贵重物品，与三星协力厂职员共谋，将半导体设备设计数据交给中国企业。

　　韩国国家情报院掌握技术泄露情况后，请求检方调查。首尔中央地方检察厅于2024年1月对嫌疑人提起公诉。

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