美光即将量产12层HBM3E，三星将面临更大压力

　　全球高带宽存储器（HBM）竞争加剧，美光即将量产12层HBM3E，并计划供货给NVIDIA。据称，美光12层HBM3E耗电量较8层产品少20%，容量多50%。

　　美光于2024年9月已完成研发并向客户展示样品，预计不久后将开始量产。

　　若美光加速量产，尚未通过NVIDIA验证的三星将面临更大压力。三星8层HBM3E量产较晚，12层产品也尚未通过测试，预计2月末才能提供样品给NVIDIA。

　　三星计划于2025年第2季起明显增加HBM3E供应量，并将焦点放在良率和效能改善上。

　　除了HBM3E，美光还预告将于2026年出货HBM4，预计新一代HBM竞争将更加激烈。三星则计划以最先进的1c DRAM在2025年内量产HBM4，并正投入DRAM效能、良率改善作业。

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