全球碳化矽技术领导者Wolfspeed，近日推出全新Gen 4 MOSFET技术平台，该平台专为高功率设计打造，显著提升系统能效并兼具耐用性，同时降低系统成本与开发时间。
Gen 4技术平台覆盖750V、1200V和2300V电压等级，适用于电动车动力系统、交通、再生能源、电池储能及人工智能等领域。
其核心优势包括：在操作温度下，导通电阻降低21%，切换损耗减少15%；提升可靠度，如高达2.3μS的短路耐受时间；简化设计流程，降低系统成本及缩短开发时间。
Gen 4技术还具备高耐用性设计，从容应对最严苛环境，如汽车、工业和再生能源制造商的全面电气化需求。
其体二极管设计进一步提升系统耐用性，实现更快切换、更低损耗，并将VDS过冲降低80%。裸芯片可在185°C下稳定运行，200°C下短时间操作，为设计提供更高弹性。
此外，Gen 4技术降低系统成本，支持使用更小型、少量、具成本效益的被动元件与滤波器，缩短开发时间。相同体积下可提升高达30%的功率输出，整合创新的体二极管设计，大幅降低反向恢复过程中的EMI，简化EMI设计流程。
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