三星加速1c DRAM开发，押注HBM4翻盘

　　三星电子据传正在加速开发1c DRAM，以期在HBM4上实现翻盘。针对此前HBM失去主导地位的困境，三星决定跳过1b DRAM，全力投入1c DRAM的研发。

　　据韩媒报道，三星已重新设计第四代1a DRAM，并正考虑对10纳米级1c DRAM进行再设计，以提高良率。此前，三星在技术开发上取得了突破，但良率未达预期，导致开发目标延期。

　　为了提升HBM竞争力，三星计划将1c DRAM用于2025年下半年量产的HBM4。而竞争对手SK海力士则计划在HBM4中使用1b DRAM，从HBM4E开始才使用1c DRAM。

　　对于三星而言，率先将1c DRAM用于HBM4是一场关键战役。此前，重要客户NVIDIA曾对三星HBM设计提出质疑，认为需要重新设计。而三星半导体暨装置解决方案部门负责人也表示正在重新审视DRAM设计。

　　尽管三星方面表示无法确认任何特定产品的开发信息，但韩国业界认为，如果三星仅对1c DRAM的问题部分进行再设计，仍可按原计划推进，预计良率问题将很快解决。

　　若一切顺利，三星有望在2025年上半年完成1c DRAM开发，下半年将其用于HBM4量产。