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美国国家实验室开发新型铥雷射技术,望提升EUV设备能效
时间:2025-01-07 10:19
美国劳伦斯利佛摩国家实验室(LLNL)正研发拍瓦(PW)级铥雷射器,旨在将极紫外光(EUV)微影设备的能效提升至现有二氧化碳雷射器的10倍。此举有望加快芯片制造速度,同时降低惊人功耗。
据TechInsights估算,当前低数值孔径EUV设备功耗已达1170KW,高数值孔径设备更达1400KW。至2030年,全球EUV设备年耗电量或超5.4万GW,超新加坡或希腊年耗电量。
LLNL团队正测试大孔径铥(BAT)雷射器,波长2微米,短于二氧化碳雷射的10微米,理论上可提高电浆体至EUV转换效率。BAT采用半导体泵浦固体(DPSS)技术,整体电力效率与热管理表现优于气体二氧化碳雷射。
LLNL雷射物理学家Brendan Reagan表示,团队已进行理论等离子体模拟与概念验证,研究成果对EUV微影技术影响深远,团队成员对继续推进研究感到兴奋。