美国国家实验室开发新型铥雷射技术，望提升EUV设备能效

　　美国劳伦斯利佛摩国家实验室（LLNL）正研发拍瓦（PW）级铥雷射器，旨在将极紫外光（EUV）微影设备的能效提升至现有二氧化碳雷射器的10倍。此举有望加快芯片制造速度，同时降低惊人功耗。

　　据TechInsights估算，当前低数值孔径EUV设备功耗已达1170KW，高数值孔径设备更达1400KW。至2030年，全球EUV设备年耗电量或超5.4万GW，超新加坡或希腊年耗电量。

　　LLNL团队正测试大孔径铥（BAT）雷射器，波长2微米，短于二氧化碳雷射的10微米，理论上可提高电浆体至EUV转换效率。BAT采用半导体泵浦固体（DPSS）技术，整体电力效率与热管理表现优于气体二氧化碳雷射。

　　LLNL雷射物理学家Brendan Reagan表示，团队已进行理论等离子体模拟与概念验证，研究成果对EUV微影技术影响深远，团队成员对继续推进研究感到兴奋。