台积电在美国旧金山国际电子元件会议（IEDM）上，介绍了其采用全新纳米片（Nanoflex）和环绕式闸极晶体管（GAAFET）的2纳米技术。
与3纳米技术相比，该技术在速度、能源效率和密度上均有显著提升，分别提高了15%、30%和15%。
GAAFET技术能更好地控制电流，通过调整纳米片宽度制造更多样化的元件，为逻辑电路设计提供更多灵活性。Nanoflex技术则允许在同一芯片上使用不同宽度的纳米片，如窄纳米片用于一般逻辑电路，宽纳米片用于高性能CPU核心。
此外，2纳米技术中SRAM的密度达到每平方毫米38万亿位元，比3纳米技术提升了11%。
英特尔专家也认为纳米片架构是晶体管技术的未来方向，并成功研发出6纳米闸极长度、3纳米纳米片厚度的元件，解决了电流泄漏问题。
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