台积电2nm制程晶圆试生产成功，良品率超预期

　　据中国台湾媒体《经济日报》报道，台积电在2nm工艺制程的竞争中再次取得领先，已在新竹县宝山工厂完成2nm制程晶圆的试生产，良品率高达60%，超出公司内部预期。

　　台积电董事长魏哲家曾表示，2nm制程市场需求巨大，订单量可能超过3nm制程。台积电已规划在新竹、高雄两地建设至少四座工厂用于2nm制程生产，预计2026年年初总产能将达到12万片晶圆。

　　在三星和英特尔的工艺开发受挫的背景下，台积电在芯片代工行业中已取得压倒性优势。2nm节点被认为是芯片代工行业的“决战节点”，因为传统的FinFET架构在此尺度下开始失效，而GAAFET架构成为新的技术选择。台积电在3nm工艺上继续使用FinFET架构，而三星则选择在3nm工艺上采用GAAFET架构，但良率不足20%，无法满足量产需求。

　　台积电的2nm工艺预计将在性能上比3nm工艺提升10%-15%，同时在相同性能下功耗降低25%-30%，这对于消费电子芯片厂商尤其具有吸引力。然而，2nm工艺的代工价格可能高达3万美元/片晶圆，远高于4nm和3nm工艺的价格。这将导致芯片研发费用大幅上升，最终可能由消费者承担。

　　台积电在2nm工艺制程的开发上目前没有强有力的竞争对手。三星电子虽然计划在2nm工艺上追赶，但其2nm产能至少要到2027年才能量产。英特尔虽然已完成18A工艺（等效2nm）的试生产，但良率过低，量产时间未知。因此，台积电在2nm工艺制程上的优势地位短期内难以被撼动。