三星或将改变iPhone低功耗DRAM封装方式

　　据报道，三星电子正在研究改变iPhone使用的低功耗双数据速率DRAM（LPDDR）的封装方法。应苹果公司的要求，三星电子正尝试将LPDDR的集成电路（IC）从封装堆叠（PoP）改为分立封装，这一变化预计将从2026年开始实施。

　　目前，LPDDR通常堆叠并封装在系统芯片（SoC）的顶部。改变封装方式的目的是为了扩大设备上AI的内存带宽。自2010年iPhone 4首次采用LPDDR以来，PoP因其能够设计更小的IC而成为移动应用的首选。然而，PoP在设备上AI的应用中并非最佳选择，因为带宽受到数据传输速度、数据总线宽度和数据传输通道的限制，而这些又由I/O引脚的数量决定。

　　为了增加引脚数量，封装需要变得更大，但在PoP中，内存的大小受到SoC的限制，SoC限制了封装上I/O引脚的数量。另一种可能的解决方案是苹果使用广泛用于服务器芯片的高带宽内存（HBM），但由于尺寸和功耗限制，HBM无法应用于智能手机。

　　苹果已经在Mac和iPad中为其SoC使用过分立封装，这种封装方式可以添加更多I/O引脚，并提供更好的热量调节。然而，随着M1 SoC的出现，苹果转而使用封装内存（MOP），以缩短芯片间距离、减少延迟并最小化功率损耗。

　　三星还可能尝试为iPhone DRAM应用LPDDR6-PIM（内存中的处理器），LPDDR6的数据传输速度和带宽是LPDDR5X的两到三倍。