据韩国媒体sedaily报道，三星电子已制定未来三年内量产次世代内存“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的技术蓝图。外界分析认为，三星此举意在超越竞争对手SK海力士，提前一个世代实现量产，以重新确立其技术领先地位。
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