韩媒：长鑫存储扩产受阻，韩企DRAM市场压力缓解

　　长鑫存储在DRAM领域的快速崛起让韩国业界感到危机。然而，随着美国对中国的半导体制裁升级，长鑫存储的扩产计划受到拖累，意外地为韩国企业减轻了市场压力。

　　据韩媒报道，受美国半导体设备出口管制影响，长鑫存储2026年的产能及供应位元成长预测被下调。

　　尽管长鑫存储已提前采购设备，2025年产能计划不受太大影响，但从2025年第四季起，良率可能下滑，产能扩张将放缓。

　　全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光三大厂主导，长鑫存储虽位居第四，但发展潜力巨大。长鑫存储依靠政府的补贴和低价策略，成功扩大了市场影响力。

　　然而，随着美国对中国半导体的设备管制升温，长鑫存储对韩国存储器业者的威胁降低，成长速度放缓。

　　应用材料公司发布的财报显示，由于美国对中国出口管制渐趋严格，预计来自中国的营收占比将减少。同时，美系设备供应商的技术人员已从长鑫存储工厂撤离，显示美国政府强化管制的影响。

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